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SS10P2CL, SS10P3CL
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 14-Aug-13
3
Document Number: 89036
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RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
2
4
6
8
12
10
0 25 50 75 100 125 150 175
Average Forward Cu
rrent (A)
Lead Temperature (°C)
Resistive or Inductive Load
TL
measured
at the Cathode Band Terminal
0
0.8
0.4
1.2
1.6
2.0
2.4
01234 65
Average Forward Current (A)
Average Power Loss (W)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
D = tp/T tp
T
0.01
0.1
1
10
100
0 0.4 0.5 0.6 0.7 0.90.1 0.30.2
0.8
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous Forward Current (A)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
10
1000
100
10 20 30 40 6050 70 9080 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous Reverse Current (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
100
10 000
1000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
Junc
tion Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/W)
Junction to Ambient
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